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鍍膜設(shè)備應(yīng)該在高真空下工作，真空值的優(yōu)劣可以直接危害表層的鍍膜的質(zhì)量。有時(shí)鍍膜設(shè)備的真空值抽不出來或是真空值不太好，可能是連接頭松脫或是有焊接發(fā)生脫焊。傳統(tǒng)式的氣密性試驗(yàn)方式應(yīng)該鍍膜設(shè)備關(guān)機(jī)，充氮，再在猜測有漏的位置涂上肥皂泡，整個(gè)過程用時(shí)費(fèi)事極易錯(cuò)判，針對微小的泄露沒法檢驗(yàn)。諾益氦質(zhì)譜檢漏儀運(yùn)用氦氣做為示蹤氣體，小漏率低于5E-13Pam3/s，安全環(huán)保，檢漏時(shí)無需關(guān)機(jī)，立即在機(jī)械泵的旁通連接測漏儀便可以迅速有效的進(jìn)行檢驗(yàn)了。
蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。
真空鍍膜工藝在傳感器方面的運(yùn)用在傳感器中，多選用那些電氣性質(zhì)相關(guān)于物理量、化學(xué)量及其變化來說，極為敏感的半導(dǎo)體資料。此外，其中大多數(shù)運(yùn)用的是半導(dǎo)體的外表、界面的性質(zhì)，需求盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低報(bào)價(jià)制造、因而選用薄膜的狀況許多。
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